所谓外延晶圆，是在碳化硅衬底上通过外延生长工艺实现客户设计的具有定制结构的半导体晶圆——SiC功率器件是制造在外延层中的，其质量直接决定了最终器件的性能与良率。该公司牵头主导起草了全球首个也是目前唯一的碳化硅…...
该器件应用案例包括HyperJuice 245W 4USB-C口氮化镓桌面充电器和倍思240W3C1A+DC氮化镓桌面充电器，两者均在LLC电路中通过INN650D150A实现更高的功率密度。 该器件应用…...
