GD25Q128ESIGR,GD兆易创新,GD25Q128E(32M 位)串行闪存 ypxx.net

GD25Q128ESIGR,GD/兆易创新,GD25Q128E(32M 位)串行闪存

GD25Q128E(128 兆位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双路 / 四路 SPI:

串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#/RESET#)。双路 I/O 数据传输速率为 266 兆比特 / 秒,四路 I/O 数据传输速率为 532 兆比特 / 秒。

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GD25Q128E(128 兆位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双路 / 四路 SPI:

串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#/RESET#)。双路 I/O 数据传输速率为 266 兆比特 / 秒,四路 I/O 数据传输速率为 532 兆比特 / 秒。

GD25Q128E(128 兆位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双路 / 四路 SPI:

串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#/RESET#)。双路 I/O 数据传输速率为 266 兆比特 / 秒,四路 I/O 数据传输速率为 532 兆比特 / 秒。

关键说明

  • GD25Q128E:兆易创新 128M-bit SPI 闪存芯片
  • HOLD#/RESET#:该引脚兼具保持与复位功能
  • Dual/Quad SPI:双路 / 四路 SPI,高速读写接口
  • Mbit/s:兆比特每秒

◆ 128M 位串行闪存

  • 16M 字节
  • 每页可编程 256 字节

◆ 标准 SPI、双路 SPI、四路 SPI

  • 标准 SPI:SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#、RESET#
  • 双路 SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#、RESET#
  • 四路 SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3、RESET#

◆ 高速时钟频率

  • 带 30pF 负载时,快速读取支持 133MHz
  • 双路 I/O 数据传输速率最高 266Mbit/s
  • 四路 I/O 数据传输速率最高 532Mbit/s

◆ 软件 / 硬件写保护

  • 可通过软件对全片或部分存储区写保护
  • 通过 WP# 引脚使能 / 关闭保护
  • 顶部 / 底部块保护

◆ 擦写寿命与数据保存

  • 擦写次数最少 10 万次
  • 典型数据保存时间 20 年

◆ 支持片内执行(XiP)

  • 高速读取可缩短整体 XiP 取指时间
  • 带环绕的连续读取可进一步降低数据延迟,满足 SoC 缓存填充需求

◆ 快速编程 / 擦除速度

  • 页编程时间:典型 0.5ms
  • 扇区擦除时间:典型 45ms
  • 块擦除时间:典型 0.15s/0.25s
  • 整片擦除时间:典型 50s

◆ 灵活架构

  • 统一扇区:4K 字节
  • 统一块:32/64K 字节

◆ 低功耗

  • 待机电流:典型 14μA
  • 深度掉电电流:典型 1μA

◆ 高级安全特性

  • 每颗芯片具有 128 位唯一 ID
  • 串行闪存可发现参数(SFDP)寄存器
  • 3×1024 字节安全寄存器,带 OTP 锁

◆ 单电源供电

  • 全电压范围:2.7–3.6V

◆ 封装信息

  • SOP8 208mil
  • SOP16 300mil
  • USON8(4×4mm,厚度 0.45mm)
  • WSON8(6×5mm)
  • WSON8(8×6mm)
  • TFBGA-24ball(6×4 球阵列)
  • TFBGA-24ball(5×5 球阵列)