国家知识产权局信息显示，武汉凌久微电子有限公司申请一项名为“一种RapidIO物理层数据无缝分割和对齐装置”的专利，公开号CN121785968A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种RapidIO物理层数据无缝分割和对齐装置，在位宽转换环节具备确定的转换延迟，相比FIFO方案无需处理额外的填充比特，与采用双端口RAM实现同等位宽转换和弹性缓冲的异步FIFO方案相比，本发明方案主要依赖寄存器和组合逻辑，可节省存储资源，相应降低了芯片面积与静态功耗，更适合大规模SoC集成的应用场景。同时，本装置具备高速接口与Serdes芯片间的通用扩展性，只需确保码组位宽与同步头检测逻辑符合协议规范，该装置的应用可同样扩展到如PCIe、Ethernet等高速接口中。
天眼查资料显示，武汉凌久微电子有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本16544.959958万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉凌久微电子有限公司参与招投标项目155次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息186条，此外企业还拥有行政许可3个。
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