南亚科技申请动态随机存取内存装置专利，从属DRAM芯片可依据控制信号选择性停止或产生从属电压#南亚科技创业园 概况

国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“动态随机存取内存装置”的专利，公开号CN121838835A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本揭示提供一种动态随机存取内存(dynamic random‑access memory，DRAM)装置。DRAM装置包括从属DRAM芯片以及主DRAM芯片。从属DRAM芯片包括从属控制电路以及从属电源电路。从属控制电路依据从属类别信号以及设定信号来产生从属控制信号。从属电源电路反应于从属控制信号的第一值停止产生多个从属电压的至少其中之一，并反应于从属控制信号的第二值产生所述多个从属电压。主DRAM芯片包括主控制电路。主控制电路依据主类别信号以及设定信号来产生主控制信号，并依据主控制信号来控制主DRAM芯片产生多个主电压。从属类别信号不同于主类别信号。

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