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MT53E1G32D2FW-046 WT:C 是一款SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 32Gb 并联 2.133 GHz 200-TFBGA（10x14.5）
1. 器件标识与基本信息
型号：MT53E1G32D2FW-046 WT:C
产品类型：Mobile LPDDR4 SDRAM（低功耗 DDR4 内存）
密度 / 组织：32Gb（=4GB），1G × 32bit（单通道 32 位）
速度等级：-046 = 4266 MT/s（时钟 2133MHz，周期 468ps）
温度等级：WT = 工业级（-40℃ ~ +105℃）
封装：200 球 TFBGA，10.0×14.5×1.1mm，球距 0.8mm
环保：RoHS 合规、无铅绿色封装
状态：量产（Active）
2. 电源与电气特性
核心电压 VDD：1.10V（典型范围 1.06–1.17V）
I/O 电压 VDDQ：1.10V（典型）或 0.60V（LPDDRX 低功耗模式，范围 0.57–0.65V）
接口电压 VDD2：1.80V（范围 1.70–1.95V）
工作温度：-40℃ 至 +105℃（WT 等级）
湿度敏感度：MSL 3（168 小时 @85℃/85% 非冷凝）
3. 架构与引脚
Bank 结构：单通道 8 个 Bank，支持并发操作
预取深度：16n（支持高带宽操作）
突发长度：BL=16/32（可编程）
引脚功能：包含 CK/CK# 差分时钟、CA 地址 / 命令、DQS/DQS# 数据选通、DQ 数据总线、VSS/VDDQ 电源与地等
封装代码：D8CJG（WT 系列）Micron Technology
4. 性能与时序
数据速率：4266 MT/s（每引脚），总线带宽达 8.5GB/s
CAS 延迟（CL）：可编程（支持 CL16/18/20/22 等，依频率配置）
写延迟（WL）：可编程（支持 WL8/10/12/14 等）
关键时序：
tRFCab（整体刷新）：280ns
tRFCpb（分区刷新）：140ns
tRAS（行地址稳定）：42ns
tRP（行预充电）：18ns
tRCD（行到列延迟）：18ns
tWR（写恢复）：15ns
tWTR（写到读转换）：7.5ns
tRRD（行组间延迟）：6ns
tFAW（四行窗口）：50ns
5. 功能特性
低功耗：
部分阵列自刷新（PASR）
时钟停止（Clock-stop）与深度自刷新
可编程 I/O 驱动强度（DS）与 ODT 终端
LPDDRX 低电压 I/O 模式（0.6V VDDQ）
信号完整性：
差分双向数据选通（DQS）
单端时钟（CK/CK#）
可编程 ODT（片上端接），支持读 / 写 / 双向配置
可靠性：
每 Bank 独立刷新（Directed per-bank refresh）
片内温度传感器，自动调整自刷新速率
支持 ECC（错误校验与纠正，部分配置）
其他：
支持多片串联（Dual Die）与片上电源管理
兼容 JEDEC LPDDR4 标准
6. 机械与封装
封装类型：TFBGA-200（Thin Fine Ball Grid Array）
封装尺寸：10.0mm（宽）×14.5mm（长）×1.1mm（高）
球距：0.8mm
包装形式：
卷带（Reel）：2000 片 / 卷（型号后缀 TR）
干盒（Dry Pack）：1360 片 / 盒
焊盘要求：符合 JEDEC 规范，建议使用阻焊定义焊盘（Solder Mask Defined）
应用
- 工业控制、嵌入式系统、工控平板
- 车载终端、智能座舱（非安全域）
- 商显 / 广告机、医疗影像设备
- 物联网网关、智能家居、安防设备
MICRON/美光常用型号汇总/大量库存现货/支持订货：
MT53E1G32D4NQ-046 WT:F
MT53E2G32D4DE-046 WT:C
MT53E2G32D4NQ-046 WT:A
MT62F1G32D2DS-023 WT:B
MT62F1G32D2DS-023 WT:C
MT62F1G32D2DS-026 WT:B
MT62F1G32D4DR-031 WT:B
MT62F2G32D4DS-023 WT:B
MT62F2G32D4DS-023 WT:C
MT62F2G32D4DS-026 WT:B
MT62F2G32D8DR-031 WT:B
MT62F2G64D8EK-023 WT:C
MT62F2G64D8ZA-020 WT:C
MT62F2G64D8ZA-020 WT:F
MT62F4G32D8DV-023 WT:B
MT62F4G32D8DV-023 WT:C
MT62F4G32D8DV-023WT: C
MTC4C10163S1SC56BD1 KC
MT25OL128ABA1ESE-0SIT
MT25QL01GBBB8E12-0AUT
MT25QL01GBBB8ESF-0SIT
MT25QL128ABA1ESE-0SIT
MT25QL128ABA1EW7-0SIT
MT25QL128ABA8ESF-0SIT
MT25QL256ABA8ESF-0SIT
MT25QL256ABA8ESF-OSIT
MT25QL512ABB8E12-0AAT
MT25QL512ABB8ESF-0SIT
MT25QLO1GBBB8ESF-0SIT
MT25QU01GBBB8E12-0AAT
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT
MT25QU128ABA1ESE-0SIT
MT25QU256ABA8ESF-0SIT
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MT25QU512ABB8ESF-0SIT
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
MT29F4G08ABADAH4-IT:D
MT29F4G08ABAFAWP-IT:F
MT29F8G08ABACAWP-IT:C
MT29F8G08ABBCAH4-IT:C
MT35XU512ABA1G12-0AUT
MT40A1G16TB-062E IT:F
MT40A1G8SA-062E AIT:E
MT40A256M16GE-083E: B
MT41K256M16TW-107IT:P
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