爱思开海力士申请半导体存储器装置及其制造方法专利，第一区域的厚度大于第二区域的厚度(爱思开海力士半导体有限公司)

国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置及其制造方法”的专利，公开号CN122248736A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本公开的实施例涉及一种半导体存储器装置以及制造半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置包括：堆叠结构，包括交替堆叠的层间绝缘层和导电图案；以及沟道结构，被设置成穿透堆叠结构。沟道结构中的每一个包括：掺杂半导体图案，被设置在每个沟道结构的内核处，掺杂半导体图案与导电图案之中的至少一个上部导电图案至少部分地重叠；竖直沟道层，包括第一区域和第二区域，第一区域被设置成围绕掺杂半导体图案，第二区域被设置成在第一区域的下方延伸；以及存储器层，被设置成围绕竖直沟道层，其中第一区域的厚度大于第二区域的厚度。

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