国家知识产权局信息显示，沃孚半导体公司申请一项名为“高速、高效SiC功率模块”的专利，公开号CN122373830A，申请日期为2016年3月。
专利摘要显示，本申请涉及高速、高效SiC功率模块。一种功率转换器模块，包括活性金属钎焊（AMB）衬底、功率转换器电路以及外壳。AMB衬底包括氮化铝基层、氮化铝基层的第一表面上的第一导电层以及氮化铝基层的与第一表面相对的第二表面上的第二导电层。功率转换器电路包括经由第一导电层彼此耦接的多个碳化硅开关部件。外壳设置在功率转换器电路和AMB衬底之上。通过使用具有氮化铝基层的AMB衬底，可在保持功率转换器模块的结构完整性的同时，显著改善功率转换器模块的散热性。
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