
产品描述
G500P03IE 为谷峰沟槽工艺 P 沟道增强型功率 MOSFET,SOT‑23 小信号贴片封装,‑30V 耐压,‑4.6A 连续电流,具备低导通电阻与小栅极电荷,适合小体积板载电源开关,100% 雪崩测试,符合 RoHS 标准,内置 7KV 人体模型 ESD 防护。
核心特性
- VGS=-10V 时 Rds (on)<55mΩ,低压导通损耗低
- 栅极电荷 Qg 仅 13nC,开关速度快,适合高频切换场景
- SOT‑23 小体积封装,节省 PCB 空间,适配高速 SMT 贴装
- 支持 7KV ESD 防护,100% 雪崩可靠性测试,抗浪涌能力强
- 栅源电压 ±12V,工作温度‑55℃~+150℃,驱动适配性好
应用场景
高端负载开关、DC‑DC 转换器、电池防反接保护、便携设备电源路径管理、板卡电源时序控制、小型消费电子电源切换等场景。













