2026年9月消息：知名调研机构Counterpoint Research发布的报告显示，今年第二季度全球DRAM（动态随机存取存储器）市场总营收同比飙升385%，环比增长57%。
先简单介绍一下，DRAM是易失性存储器（Volatile Memory）的一种，用于临时存储正在运行的数据与程序，可以理解为设备的工作台面，是保障电子设备计算性能的核心组件，决定着系统的流畅度。
数据显示，DRAM在全球存储芯片市场占比约56%。随着AI、云计算、物联网等技术的快速发展，数据中心对内存的需求持续增长，不仅要求大容量DRAM，对性能和稳定性也提出更高要求。采用3D堆叠工艺的高端DRAM产品HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器），已成为全球人工智能训练与推理系统的关键组件。
三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光科技（Micron Technology）牢牢占据着前三，营收份额分别为38%、25%、24%。三星电子重夺第一，较去年第二季度增加5个百分点，环比持平。相比之下，SK海力士同比锐减14个百分点，环比下滑4个百分点。美光科技则同环比均增加2个百分点。
今年2月12日，三星电子在韩国忠南天安园区率先启动第六代高带宽存储器（HBM4）量产，成为全球首家实现该产品商业化的企业。短短四个月时间，销售额便突破10亿美元。
该产品采用自研1c nm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片+4nm基础裸片。目前，三星的4nm制程产线集中在平泽工厂2号和3号园区，包括S5和S6两条生产线，月产能为3万片晶圆。其中，超过一半的产能用于生产HBM4基础裸片，量产良率已从最初的不到60%提升至接近80%。公司预计第三季度HBM4销售额将较上一季度增长三倍以上，今年下半年HBM4销售额将占整体存储营收超60%，年底HBM市占率拉近至约38%。
竞争对手自然不甘落后。SK海力士是最早完成HBM4研发并推出工程样品的厂商，但直到今年二季度才开始大规模量产出货。在CES 2026（2026年国际消费电子展）上，16层堆叠的48GB HBM4首次亮相，这是公司下一代HBM产品，是实现业界最高速率11.7Gbps的12层堆叠36GB HBM4的后续版本，目前正根据客户需求稳步推进研发工作。
2026年3月，美光宣布12层36GB HBM4大规模量产，专门适配英伟达Vera Rubin平台，单堆栈带宽超过2.8TB/s。公司计划在年底前将HBM月产能提升至约10万片晶圆，相比2025年约4万至5万片的月产能将实现翻倍增长。此外，美光已向客户送出16层48GB HBM4样品。
两家中国企业上榜。台塑集团旗下南亚科（Nanya Technology）排名第五，份额从1%翻倍到2%。中国企业长鑫科技（CXMT）继续排在第四位，增长势头迅猛，营收份额达到10%，同比增加6个百分点，环比增加2个百分点。这也是其季度DRAM市场份额首次达到两位数，要知道，2023年，长鑫科技在全球DRAM市场营收份额占比还不到1%。
财报显示，2026年上半年长鑫科技实现营业收入1503.1亿元，同比暴增873.64%；净利润776.05亿元，去年同期为亏损23.32亿元。这一业绩已远超2025年全年水平（营收617.99亿元，净利润18.75亿元）。
基于之前公布的第一季度业绩（营收508亿元，净利润247.62亿元，同比分别大涨719.13%和1688.30%）计算，第二季度公司营收995.1亿元，同比暴涨977.4%，环比增长95.9%；净利润528.43亿元，同比扭亏，环比增长113.4%。
9月4日，长鑫宣布，新一代豆包手机将率先搭载其最高速率达10667Mbps的LPDDR5X内存。这是国产高速LPDDR5X内存芯片（速率达10667Mbps）首次实现量产落地应用。
9月7日，小米首款“万元机”——小米18 Fold折叠屏手机正式发布。顶配版本采用了长鑫LPDDR6内存，这是全球范围内LPDDR6产品首次在旗舰手机端落地商用。该产品通过架构创新及数据传输优化技术，充分释放数据传输潜力，峰值速率达12800Mbps，芯片最高容量16GB。
