2026年，高带宽内存（HBM）正在被重新定义。8月26日，英伟达宣布推出新一代定制高带宽内存技术NVHBM，并将其纳入NVLink Fusion生态。该技术核心设计颠覆了传统HBM架构，将英伟达自研的定制化内存控制器从XPU运算晶粒转移到HBM堆叠中的Base Die（基础裸片）上。英伟达宣称，相较标准HBM4E可实现最高30%的内存带宽提升、15%的HBM功耗降低，并可释放最多25%的XPU面积。这一架构创新意味着HBM不再仅仅是被动的数据中转站，而是开始具备主动计算能力，成为AI算力系统中的核心组件。几乎同一时期，三星在Hot Chips 2026上披露了HBM三阶段演进路线图，从"释放空间"到"扩展功能"再到"3D堆叠"，终点为zHBM，旨在将HBM的Base Die从被动的数据中转站升级为具备计算能力的主动协处理器。
在性能路线图和产能方向，HBM市场持续升温。9月1日，三星公布下一代存储路线图：HBM5的目标是在性能上达到HBM4E的两倍，单瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%。三星同时宣布正在开发全新架构的zHBM，目标性能为HBM4E的8倍。在产能方向，美光计划在2026年年底前将HBM月产能提升至约10万片晶圆，较去年增幅接近一倍，加速推进最新一代HBM4 12层产品的量产爬坡。SK海力士则在Hot Chips 2026上引入英特尔EMIB封装技术，推进下一代HBM 3D封装，凸显其在先进封装供应链上寻求多元化布局的战略意图。6月，英伟达CEO黄仁勋正式宣布，SK海力士、三星电子与美光科技三家存储芯片制造商均已通过其最新AI加速器平台Rubin所采用的HBM4高带宽内存认证，并将于近期启动大规模量产。市场分析指出，HBM4所需的晶圆大约是传统DRAM的三倍，由于晶圆产能有限，三星和SK海力士的存储半导体库存已降至不足10天的水平。从NVHBM定制架构到zHBM计算型内存，从HBM4认证到HBM5路线图，高带宽内存正在从单纯的存储芯片升级为AI时代的核心计算平台。
