国家知识产权局信息显示，咏业科技股份有限公司取得一项名为“内嵌高介电层的封装结构”的专利，授权公告号CN224746927U，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，一种内嵌高介电层的封装结构，包含封装壳体、多个第一金属柱、接地电极、射频芯片、多个连接垫、二电源电极及至少一介电陶瓷片。封装壳体由第一介电材料制成，开设有贯穿封装壳体的多个第一导通孔。接地电极位于第二表面上，与第一导通孔中的第一金属柱连接。射频芯片位于第一表面的凹槽中，且包含二电源接点。连接垫透过第一金属柱电性连接接地电极。电源电极至少一部分曝露于封装壳体，且连接电源接点。介电陶瓷片位于各电源电极与连接垫的至少之一之间。
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