9月，一种改进的MILD合成方法受到关注。研究团队用无毒且廉价的NaF替代传统LiF，用于Ti₃C₂Tₓ（MXene）的刻蚀合成。所得样品的片尺寸和表面化学性质与LiF-MILD方法相当，而Ti₃C₂Tₓ薄膜的电导率甚至超过了传统方法。
MXene是一类二维过渡金属碳化物/氮化物材料，其中最典型的是Ti₃C₂Tₓ。它由三个原子层构成——两层钛夹一层碳，表面带有-O、-OH、-F等官能团（即Tₓ）。MXene具有优异的金属导电性和丰富的表面化学，在储能、电磁屏蔽、传感器、柔性电子等领域有广泛应用前景。MXene的制备是从块体Ti₃AlC₂（MAX相）中选择性刻蚀掉铝层，使Ti₃C₂层片剥离。
传统MILD方法使用LiF（氟化锂）和盐酸混合刻蚀MAX相中的铝层。LiF价格较高，且锂离子嵌入MXene层间会影响表面化学。研究团队用NaF替代LiF——NaF更便宜、无毒，而且钠离子比锂离子更大，在刻蚀过程中不会过度嵌入MXene层间。实验结果显示，NaF-MILD制备的Ti₃C₂Tₓ片尺寸和表面官能团与LiF-MILD样品相当，但薄膜电导率更高——这可能与表面化学差异有关，钠离子刻蚀产生的表面官能团配比更有利于载流子传输。
低成本绿色合成对MXene的产业化至关重要。MXene在实验室中表现优异，但传统LiF-HCl刻蚀方法使用昂贵锂盐，且产生含氟废液，环保处理成本高。NaF替代LiF直接降低了原料成本，同时工艺条件基本不变，不需要重新开发产线。更高的电导率意味着MXene薄膜在电磁屏蔽、透明导电膜、柔性电极等应用中性能更优。这种"换一种刻蚀盐"的改进，虽然原理简单，但对MXene从实验室走向大规模应用有实际价值。
