Bilibili 频道HOMOLAB对1TB 版本的iPhone 18 Pro Max 进行实测储存基准测试，结果显示在持续重载、且储存空间接近填满的情况下，其快闪记忆体写入速度会大幅下降，甚至比多款入门microSD 卡更慢。
QLC 与TLC 储存差异
现时大部分手机采用TLC（triple-level cell）快闪记忆体，每个记忆体单元储存3 bit 资料；在3D NAND 引入后，TLC 在速度、容量与耐久度之间取得良好平衡。 1TB 的iPhone 18 Pro Max 则改用QLC（quad-level cell）储存，每个单元塞入4 bit 资料，可在同一块晶片上换取更大容量，但每个单元需分辨更多状态，通常令QLC 比TLC 更慢且耐久度较低。
HOMOLAB 以512GB、采用TLC 的iPhone 18 Pro 直接对比，加权4K 读取测试中两者接近：QLC 版本得46,045，TLC 版本得51,282。在混合读写工作负载下差距扩大，低伫列深度时TLC 型号领先约38%（11,285 对8,168），在更重载、要求更高的情况下差距收窄至约12%（35,992 对32,219）。
三层缓冲与写入速度变化
与多数现代手机一样，iPhone 18 Pro Max 使用一小块快速SLC（single-level cell）缓存吸收突发数据，在缓存仍有空间时速度可超过3,000 MB/s。缓存耗尽后，手机会回落至一层模拟TLC 行为的次级缓冲，速度仍比原生QLC 快，平均578 MB/s，但波动明显。只有当次级缓冲同样耗尽，手机才会直接写入原生QLC 储存，HOMOLAB 测得持续写入速度平均跌至79.4 MB/s，最低更只有25.6 MB/s，比不少入门microSD 卡更差。
随着储存空间填满，情况进一步恶化。当容量使用率达60%，可用空间减少令快速缓存可用范围缩小，SLC 缓存由空机时约250GB 急跌至仅58GB。模拟TLC 的次级缓冲亦放慢，平均396 MB/s，相较空机时的578 MB/s明显下降；原生QLC 直写阶段平均进一步跌至45 MB/s，最低只有1.1 MB/s，远远落后其他旗舰手机同类高负载下使用的TLC UFS 4.0 储存。
售价与实际使用影响
在定价方面，1TB 版本的储存加价幅度属业内最高之一，但其使用的储存类型通常被视为比低容量配置所用的储存更次一等。
对于日常大部分操作，例如传讯息、浏览网页及随手拍照，用户未必会察觉差异，因为缓存足以应付典型突发写入。但当涉及持续重载写入，例如长时间录制4K 或ProRes 影片、大量档案传输或备份还原，问题便会真正浮现，而这些正是购买大容量版本的用户最可能遇到的使用场景。
