首先，它将推动先进制程工艺的持续进步，High-NA EUV能够支持更先进制程的量产，将推动芯片制程从2nm向1.4nm、1nm甚至更小尺寸迈进，延续摩尔定律的生命力。其次，它将重塑先进制程的竞争格局，英特尔…...
据TrendForce报道，2028年或许将成为DRAM制造商的里程碑时刻，SK海力士也打算与三星同一年引入High-NAEUV技术，用于DRAM芯片生产。 SK海力士在2021年首次采用EUV技术，用于…...
核心观点三： ASML垄断壁垒进一步加厚：三大客户采用承诺叠加光掩模标准合作，ASML将设备、光源、光学与耗材标准进一步捆绑，从共同研发到标准共定，其对先进光刻体系的独占地位更加稳固。作为最早接收High-…...
从6英寸到12英寸，表面是掩模尺寸的放大，实质是光刻产业对"分辨率换经济性"逻辑的一次公开校准：当High-NA EUV以最高4亿美元的单台成本入场，拼接损耗就必须被系统性消除，否则先进制程的成本曲线难以...
这意味着，中国在2nm制程上，至少落后台积电5-8年。 台积电拿到High-NA EUV，可以做更少的曝光次数，更高的良率。 如果你在做芯片设计、半导体设备、AI硬件，关注ASML的交付时间表，比关注台积电的…...
