9月，英特尔宣布首批两台高数值孔径（High-NA）EUV设备已正式投入生产。英特尔资深首席工程师Steve Carson指出，英特尔用ASML高数值孔径曝光机一季内生产3万片晶圆。英特尔去年成为全球第一间接收这些设备的芯片制造商，与之前ASML设备相比，这些机器可望制造出更小、更快的运算芯片。此举是英特尔策略转变的重要标志，因英特尔采用上代极紫外光曝光机时落后竞争对手，如今希望凭借High-NA EUV实现制程反超。
High-NA EUV是极紫外光刻技术的下一代升级，其数值孔径从传统EUV的0.33提升到0.55，能够实现更高的分辨率和更小的制程工艺。传统EUV光刻机的分辨率极限约为13nm，而High-NA EUV可以达到8nm以下的分辨率，能够支持2nm以下更先进制程的生产。High-NA EUV设备的投入生产，标志着半导体制造技术进入了一个新的阶段，将推动芯片制程工艺继续向更小尺寸迈进。英特尔作为全球首家接收并投产High-NA EUV设备的芯片制造商，在先进制程竞赛中占据了先机。英特尔在10nm、7nm等制程上曾经落后于台积电和三星，导致其在先进制程代工市场上的份额不断下滑。如今，英特尔希望凭借率先投产High-NA EUV设备，在1.4nm及更先进制程上实现反超，重新夺回先进制程的领先地位。
High-NA EUV设备的正式投产，将对全球半导体产业格局产生深远影响。首先，它将推动先进制程工艺的持续进步，High-NA EUV能够支持更先进制程的量产，将推动芯片制程从2nm向1.4nm、1nm甚至更小尺寸迈进，延续摩尔定律的生命力。其次，它将重塑先进制程的竞争格局，英特尔率先投产High-NA EUV，有望在下一代先进制程上缩小与台积电的差距甚至实现反超，而台积电和三星也在加紧布局High-NA EUV，三家之间的竞争将更加激烈。第三，它将带动半导体设备和材料产业的发展，High-NA EUV设备的量产将带动光刻胶、掩膜版、光学元件等相关材料和设备的技术进步和产业发展。当然，High-NA EUV的大规模应用也面临一些挑战，设备成本极其高昂，单台价格超过3亿美元，大幅提升了先进制程的建厂成本；High-NA EUV的工艺成熟度和良率还需要时间验证；其产能爬坡也需要一个过程。但无论如何，High-NA EUV设备的正式投产，是半导体制造技术的重要里程碑，标志着先进制程竞赛进入了新阶段，将推动半导体产业继续向前发展。
