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艾华半导体申请改善ALD膜厚均匀性工艺专利,可有效提升整体均匀性#艾华电子科技有限公司

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国家知识产权局信息显示,艾华(无锡)半导体科技有限公司申请一项名为“一种改善ALD膜厚均匀性的工艺”的专利,公开号CN121915385A,申请日期为2025年12月。通过天眼查大数据分析,艾华(无锡)半导体…...