国家知识产权局信息显示，艾华（无锡）半导体科技有限公司申请一项名为“一种改善ALD膜厚均匀性的工艺”的专利，公开号CN121915385A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明是一种改善ALD膜厚均匀性的工艺，包括以下步骤：1）先打开载气与源瓶之间进气管上的载气控制阀，向源瓶通入载气，时间控制在1‑5s，并保持源瓶与反应腔之间供气管上的TMA出气控制阀关闭，反应腔内硅片装载量＞6排；2）保持载气控制阀打开，然后打开TMA出气控制阀，载气携带源瓶内的载气、TMA载气的混合气进入反应腔。提前向源瓶内通入载气，可以提高源瓶内气压，通气时气体流速会加快，这样可以提高到达尾排的反应气体的量，对尾排膜厚有明显的改善效果，从而提升整体均匀性。本发明的优点：方法设计合理，通过优化气体通入流程，实现了ALD设备装载量高于6排硅片时的膜厚均匀性的改善，可有效提升整体均匀性。
天眼查资料显示，艾华（无锡）半导体科技有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本7400万人民币。通过天眼查大数据分析，艾华（无锡）半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，财产线索方面有商标信息7条，专利信息76条，此外企业还拥有行政许可14个。
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