
国家知识产权局信息显示,南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司申请一项名为“一种对称式堆叠集成万瓦级GaN固态微波功率源系统”的专利,公开号CN122370828A,申请日期为2026年4月。
专利摘要显示,本发明公开了一种对称式堆叠集成万瓦级GaN固态微波功率源系统,其中多个千瓦级GaN功率器件以阵列形式集成在堆叠式微流散热基板上,阵列式功率控制单元分别与各个千瓦级GaN功率器件连接,用于实现对功率器件的驱动和射频信号控制,分离式微波源集成单元分别与各个千瓦级GaN功率器件连接,接收输出信号并实现整个系统的大功率输出。本发明的方案整体采用对称式堆叠结构,将千瓦级GaN功率单元与微流散热基板进行对称式镜像设计与堆叠集成,在利用分离式结构进行功率合成,保证了高效的散热能力与功率输出能力,实现了万瓦级固态微波功率源的高集成度和高可靠性,大幅缩减了功率源的尺寸。
天眼查资料显示,南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司,成立于2018年,位于南京市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1330万人民币。通过天眼查大数据分析,南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目10次,财产线索方面有商标信息7条,专利信息53条,此外企业还拥有行政许可9个。
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