国家知识产权局信息显示，昆山家锐电子科技有限公司申请一项名为“一种光通讯MIM行业金属包金属成型装置及成型方法”的专利，公开号CN121911883A，申请日期为2026年2月。企业注册资本300万人民币。 …...
4月23日，北京昌龙智芯半导体有限公司在武汉九峰山论坛发布了其核心氧化镓预售产品矩阵-氧化镓（Ga₂O₃）外延及实验型功率器件（工程样机）。 作为国内少数具备第四代半导体IDM（整合晶圆制造）能力的氧化镓企…...
国家知识产权局信息显示，深圳市曼恩光电科技有限公司取得一项名为“一种钙钛矿太阳能电池”的专利，授权公告号CN224165062U，申请日期为2025年4月。分子修饰层中苄基三乙基铵一维铅卤结构作为疏水性屏障既…...
国家知识产权局信息显示，力特半导体（无锡）有限公司取得一项名为“瞬态电压抑制系统”的专利，授权公告号CN224165047U，申请日期为2025年2月。一种瞬态电压抑制系统、器件、设备、结构及其相关方法。通过…...
常见需要确认三点：一是器件是否已经出现不可逆损伤，比如内部击穿、裂片;二是PCB是否存在多层断线或严重分层;三是成本是否合理，高价值芯片(如FPGA、CPU、通信基带)才值得投入返修资源。 BGA返修本质上是…...
一、 晶体结构与晶格匹配的天然优势氮化钇（YN）在常温常压下表现为标准的 NaCl 型岩盐矿结构（空间群 Fm-3m）。更重要的是，通过在YN 中掺杂稀土磁性离子（如 Gd 或 Eu），可以实现自旋极化的…...
为突破现有分辨率限制，韩国科学技术院与光州科学技术院合作研发出一种可在极低功耗下实现显色的“可重构低功耗反射式单像素器件”。 研究采用单像素结构：单个像素直接变色，可在相同面积内排布更多像素，既提升分辨率，…...
其免费的整改服务为客户节省了一大笔成本，而且通过一站式服务和高效的解决方案，能有效缩短客户的研发周期，从整体上降低了客户的研发成本，性价比非常高。其在行业优势、特点、价格、品牌等方面都有着突出的表现，能够为客…...
所谓外延晶圆，是在碳化硅衬底上通过外延生长工艺实现客户设计的具有定制结构的半导体晶圆——SiC功率器件是制造在外延层中的，其质量直接决定了最终器件的性能与良率。该公司牵头主导起草了全球首个也是目前唯一的碳化硅…...
当制程进入7nm以下节点后，传统SiO₂栅介质厚度已逼近1nm物理极限，漏电流呈指数级上升，而替换为高k材料后，硅衬底与高k介质之间的晶格失配会产生大量悬挂键、杂质占位等界面态缺陷。 当前高k栅介质的研发已…...
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出一款新型三色LED---VLMRGB1500…，这款LED在5 mA电流下可为RGB显示屏和背光…...
这充分说明，低功耗比较器已从传统的通用模拟小器件，成功演进为终端续航能力、系统安全边界和边缘智能唤醒效率的重要基础器件，在电子系统中扮演着愈发关键的角色。日本厂商则在低电压、低电流、小封装和细分应用适配等方面…...
国家知识产权局信息显示，斯纳普公司申请一项名为“表面安装器件的角防护件保护”的专利，公开号CN121753483A，申请日期为2024年8月。 专利摘要显示，在一些示例中，提供角防护件以用于保护印刷电路板（P…...
在第三代半导体及车规级产品布局上，瑞能半导也走在前列，早早切入碳化硅二极管方向，具备垂直一体化制造能力。瑞能半导的基础功率器件、碳化硅及车规级功率器件的自主研发和制造能力，将强化紫光国微在功率器件领域的实力，…...
第一要关闭无关层显示，很多新手习惯开全层版图，视线被大量无关走线、器件干扰，定位时只保留报错规则关联的2-3层，问题点会直接暴露；第二要开启报错-版图坐标联动，点击报错条目直接跳转至对应位置，不需要手动输入…...
这一突破有望推动多个高附加值行业的电气架构变革：在绿色船舶与高铁交通领域，可显著降低牵引系统损耗，减小设备体积与重量，助力交通运输绿色转型；在新型配电与算力供电领域，作为高压直挂固态变压器的核心元件，可支撑…...
通过引入中性点钳位（Neutral Point Clamped, NPC）三电平拓扑结构，配合创新的单极性倍频正弦脉宽调制（SPWM）策略，并全面采用碳化硅（SiC）MOSFET作为核心功率器件，系统不仅从拓…...
研究背景源于可再生能源占比提升、直流负载激增的能源发展趋势，双极直流微电网因高可靠性、高安全性等优势成为能源系统重要组成，但极间电压不平衡成为其应用的核心难题，传统电压平衡方案存在控制复杂、成本高、普适性差等…...
一、标准机型核心参数 表格 二、核心技术与功能 拓扑与器件：采用LLC 全桥谐振拓扑 + 同步整流，可选SiC碳化硅功率器件，软开关设计，开关损耗低、散热小、寿命长；高频隔离变压器抑制 EMI，满足 E…...
MetaDescription：深度解析英飞凌IR2103STRPBF栅极驱动芯片技术参数与应用优势，600V耐压、210mA驱动电流、SOIC-8封装，电机驱动、逆变器的理想选择。- 变频器 - 开关…...
65R340 通过 JEDEC 标准认证，具备 250mJ 的雪崩能量耐受（Eas）和 50Vns 的 dvdt 抗干扰能力，即使在高频PWM 开关、谐振变换等复杂工况下，也能保持稳定的换流性能。相比传…...
国家知识产权局信息显示，西安欧得光电材料有限公司申请一项名为“一种反式偶氮苯类化合物及其电致发光器件”的专利，公开号CN121673269A，申请日期为2025年10月。通过天眼查大数据分析，西安欧得光电材料…...
这项成果的核心突破，亮点十足、干货满满：材料端，首创高低速脉冲外延生长技术，衍生材料成功应用于“海洋一号”卫星，一举填补我国卫星紫外波段的空白，为国家重大航天工程保驾护航；芯片端，创新光子调控技术，让芯片出…...
AQ6370B光谱分析仪： 宽波长范围： -AQ6370B 是一款优化了通信应用测量的常用波长的标准型号 -AQ6373用于包括可见光（VIS）在内的短波长光。191-66*29=2816 189-75*3…...
证券之星消息，根据企查查数据显示微导纳米（688147）公布了一项国际专利申请，专利名为“光学器件及其制备方法和应用”，专利申请号为PCTCN2025118248，国际公布日为2026年3月12日。 数据…...
在并联SiC MOSFET电路中，测量了开关过程中不同电压、电流和栅极电阻下的振荡，同时评估了电感不平衡和器件特性变化的影响。 通过观察电流、电压、器件不匹配、栅极电阻和跨导（gm）如何影响行为，可以全面了…...
在苏州办事处，我们不仅提供核心器件，更提供**“器件+拓扑+系统”**的全方位支持。 依托在LLC、Buck-Boost、DAB（双向有源桥） 等复杂拓扑上的深耕，倾佳电子能够协助客户从研发初期进行仿真选…...
为HDMI接口设计一套专业、高效的ESD静电保护方案，是确保产品可靠性、通过EMC认证并赢得市场信任的关键。这些器件内部集成了多路TVS二极管，采用微型化封装，在提供超低电容（如0.3pF~0.7pF）和±1…...
二、网口ESD保护二极管选型核心要点选型绝非简单地选择一个“有保护功能”的器件，而需要综合考虑以下关键参数，以实现防护效果与信号完整性的最佳平衡。阿赛姆电子不仅提供高质量的器件，更能为工程师提供从选型指导、…...
无论您需要产品选择、定制设计、物流或其他特殊要求方面的支持，Mini Circuits都能为您提供50年的经验和设计专业知识，因此您可以放心地为您的系统选择合适的部件，为您的成功选择合适的合作伙伴。作为世界领…...
柔性测试系统能够模拟柔性器件在实际使用环境中的应力状态，评估其在长时间或多次循环应力作用下的稳定性和可靠性。湖南纳昇电子科技有限公司的产品在保证质量和性能的前提下，价格具有一定的竞争力，能够为客户提供较好的性…...
性价比优势：相比其他单纯提供EMC测试整改或者元器件销售的公司，比创达集EMC方案的设计、测试与整改（免费）以及EMC器件的研发、生产与销售于一体，能够为客户节省成本。它凭借专业的技术实力、丰富的行业经验、…...
她们，就如同碳化硅器件中不可或缺的高性能氮化硅（Si3N4）陶瓷基板与具备米勒钳位（MillerClamp）功能的智能驱动芯片，在极端恶劣的市场“热冲击”与“高电压”下，默默守护着系统的稳定与繁荣 。通过这…...
证券日报网讯 3月6日，中晶科技在互动平台回答投资者提问时表示，8英寸抛光硅片主要应用在功率器件和集成电路领域。 （编辑 姚尧）…...
依托至信微在碳化硅功率器件方面的技术积累，我们能够为充电桩、电源模块及新能源应用提供稳定可靠的器件选择，并在选型与应用阶段为客户提供相应的技术支持。未来，随着碳化硅技术的不断成熟，像至信微SiC SBD这样…...
MS9740A 是 Anritsu 的光谱分析仪。 MS9740A 是一款台式光谱分析仪，覆盖 600 nm 至 1750nm。MS9740A 提供高性能光学分辨率和高速测量，以支持设备和组件制造商的需求…...
比创达电子在保证服务质量的前提下，通过优化内部管理和生产流程，降低了运营成本，从而能够为客户提供更具性价比的服务。其强大的专业实力、一站式服务、高性价比以及良好的品牌口碑，能够满足客户在CE传导整改方面的各种…...
（映维网Nweon 2026年02月28日）ARVR等尖端技术都依赖于能够精确控制光线的组件，包括空间光调制器（SLM），即能够动态调整光波在其周期内的位置（即相位），以及其在多个像素上的振幅或方向的系统…...
有投资者在互动平台向新易盛（300502.SZ）提问，公司对于NPO、CPO技术方向有布局吗？是否有对应的光引擎器件业务？ 3月2日，公司回答表示，公司已构建起覆盖传统可插拔光模块、LPO、NPO及CPO等多…...
倾佳杨茜从核心 SiC MOSFET 器件的物理机制出发，深入探讨实现 98.2% 效率的高频变频器硬件架构，系统性地给出低寄生电感 PCB 层叠母排的设计工程指南，并最终从机电能量转换的视角，详尽剖析这种高…...
走线强制要求：驱动芯片的地线（Return）必须且只能直接连接到此引脚，绝不能与主功率源极（Pin 3-11）混连。 所选用的导热绝缘材料（TIM）必须具备一定的压缩弹性和柔顺性，以填补这些高度公差，确保每…...
本文从器件特性、拓扑优化、控制策略、热管理四个维度系统分析SiC器件在直流岸电电源中的效率提升路径，并通过仿真与实验验证，综合效率可提升至97%以上，损耗降低30%以上，为岸电电源的高效化设计提供技术参考。 …...
她没有参加高考又一次被保送到现在改名为东南大学的南京工学院。那一年，新当选院士的平均年龄是53.9岁，她是最年轻的女院士。黄如是微电子学专家，长期从事集成电路科学与工程的教学和研究，让一个在实验室泡了几十年、…...
国际方面，美国能源部（DOE）于2025年1月16日发布的《宽禁带功率电子战略框架草案》，将超宽禁带半导体（氧化镓、金刚石等）纳入核心研发范畴；美国国防高级研究计划局（DARPA）在2025年8月正式启动超…...
图一 SiC JFET IC OM及SEM图 图二 （左）兼容SiC功率JFET与JFET IC的多项目晶圆照片（右）提取单级放大器SPICE模型与实测数据对照 （下）差分放大器波特图 图三 碳化硅集成…...
国力电子凭借深耕电真空器件领域的技术积淀，其研发生产的氢闸流管、大功率速调管及真空电容器等产品，已成为可控核聚变装置中的关键核心部件，为聚变反应的稳定运行与技术突破提供了坚实支撑。 在磁约束核聚变装置中，速调…...
天眼查显示，近日，四川大彩视觉技术有限公司成立，法定代表人为金砾，注册资本1000万人民币，由浙江大彩光电技术有限公司全资持股。序号股东名称持股比例1浙江大彩光电技术有限公司100% 经营范围含技术服务、…...
在电路保护领域，传统器件面临的体积限制、高温性能衰减、失效安全隐患等问题，长期制约着电子产品的小型化与可靠性提升。上海宝宫实业有限公司凭借21年电路保护行业经验，推出的CMS系列高能贴片压敏电阻，为市场提供了…...
